TAGORE (泰高技术)

admin

点击进入 TAGORE (泰高技术)官网





TAGORE 深圳市泰高技术有限公司拥有国际半导体领域的资深专家和高效的管理团队，主要从事基于第三代半导体氮化镓基及碳化硅基材料技术的集成电路的研发和销售，TAGORE 泰高技术所研发的氮化镓芯片已经被超过 60 家以上的欧美国际大公司广泛采用。并且TAGORE 泰高技术是世界上第一家同时具备氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）及砷化镓(GaAs)芯片工艺技术创新解决方案的公司。

TAGORE 泰高技术的研发团队源于国际整流器公司（IR），早在 2010 年就承继 IR 处于国际领先的氮化镓成果开始继续研制并销售先进氮化镓芯片。TAGORE 泰高技术的全球设计中心位于美国芝加哥（Chicago）近郊的阿灵顿高地 （Arlington Heights），TAGORE 泰高技术研发团队致力于开发宽禁带技术的颠覆性解决方案，拥有众多创新专利技术、芯片 IP 以及自有知识产权的设备，能显著降低客户端系统级解决方案的复杂性、体积、重量和功耗等相关问题。

基于目前中美贸易战略的考量及肩负推动国内第三代半导体技术迅速提升的责任，于 2021 年12月在中国深圳成立TAGORE 深圳市泰高技术有限公司。TAGORE 泰高技术的技术团队在射频和功率半导体领域深耕超过 20 余年，具有超卓的芯片设计能力，其中射频芯片技术及性能上更是独步全球。并且TAGORE 泰高技术的营销团队，之前都在国内外知名半导体公司工作多年，业务团队的骨干都有超过 12 年以上的半导体芯片销售经验。TAGORE 泰高技术是一个半导体技术和市场销售团队强强联合的实体，必将会在用户和泰高技术之间架起尖端半导体产品研发应用的高速通道。

TAGORE 泰高技术在国际前沿射频和功率芯片相关设计、工艺技术提升等领域向着降低能耗 、降低成本 、提供性能及高可靠性的目标大踏步前进。TAGORE 泰高技术的核心价值是致力于通过精巧的布局，使得工程师更加便捷设计，让产品更经济实用且可靠，让世界更美好。并且TAGORE 泰高技术的 Superior GaN 技术为更高效、更小、更可靠的全新解决方案带来更多可能。

电源管理

泰高技术的GaN功率HEMT器件，可由任何标准12V PWM控制器或GaN FET专用的新一代6V PWM控制器直接驱动，无需外部VCC。该器件具有较低的输入/输出电容，允许以最小损耗在高频下进行切换。具有高击穿电压和高可靠性，它可以安全地用于提高效率和功率密度，同时降低系统的总体成本。


低噪声放大器

泰高技术砷化镓 (GaAs) 芯片工艺的功率低噪声放大器（LNA），提供高增益和线性度。通过简单的输入和输出匹配，该低噪声放大器具有极低噪声、极低插损、高增益的特点，高带宽可以针对不同频段的应用来进行调谐。

功率放大器

泰高技术采用GaN-On-SiC DHEMT 技术设计的功率晶体管，能够在500MHz至4.0GHz的频带内传输20W连续波。晶体管可以在较低的频率下使用，同时降低输出功率。输入和输出可以匹配，以获得所需频带的最佳功率和效率。

射频开关

泰高技术的高功率射频（RF GaN）开关与控制器完全集成，使开关易于使用，使用3.3 V或5.0 V电源。我们的产品可以更适合做工作在全宽带领域，与GaAS和SOI的开关相比，同时仍然提供低插入损耗和高隔离。

连接无线可能

氮化镓技术将重新定义在产品级与系统级的功率器件，选择泰高技术将赋予您的产品具有全新性能与商业竞争力